НАУЧНЫЙ ЖУРНАЛ "ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА"
2021, Том 3, Выпуск 4
Наманганский инженерно-технологический институт (спецвыпуск)
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4
(Для проверки DOI используйте сайт DOI.ORG )

Г.Гулямов, Ж.И.Мирзаев, У.И.Эркабоев, А.О.Ёкубжонов.

УРОВНИ ЛАНДАУ В ДВУМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-1

О.Маматкаримов, Б.Уктамалиев, А.Абдукаримов.

ПРИГОТОВЛЕНИЕ ПОЛИМЕТИЛМЕТАКРИЛАТНЫХ ПОЛИМЕРНЫХ ЭЛЕКТРОЛИТОВ ДЛЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ Mg-ИОННЫХ АККУМУЛЯТОРОВ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-2

Н.Ю.Шарибаев, А.К.Эргашов, Р.Н.Шарифбаев.

ИМПЕДАНС СПЕКТРОСКОПИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НОВОГО ТИПА В ИССЛЕДОВАНИИ ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-3

О.Маматкаримов, А.Абдукаримов, Б.Уктамалиев.

О ХАРАКТЕРИСТИКАХ МНОГОСЛОЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР С КРАСИТЕЛЯМИ НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА ТИТАНА
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-4

У.И.Эркабоев, Р.Г.Рахимов, Н.А.Сайидов, Ж.И.Мирзаев, У.М.Негматов.

ВЛИЯНИЕ СИЛЬНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСЦИЛЛЯЦИИ ЭНЕРГИИ ФЕРМИ В ДВУМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-5

Н.Ю.Шарибаев, М.Г.Дадамирзаев, Р.Н.Шарифбаев .

ВЛИЯНИЕ ЭФФЕКТИВНОЙ МАССЫ ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЯ НА ТЕМПЕРАТУРНУЮ ЗАВИСИМОСТЬ ШИРИНА ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ p-Bi2-xSbxTe3-ySey
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-6

О.Маматкаримов, Б.Уктамалиев, А.Абдукаримов, A.K. Ароф.

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ АКТИВНЫХ И РЕАКТИВНЫХ ИМПЕДАНСОВ ТВЕРДЫХ ПОЛИМЕРНЫХ ЭЛЕКТРОЛИТОВ PMMA-EC-LiTf2/MgTf2
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-7

Р.Х.Хамидов, О.О.Маматкаримов.

РАСЧЕТ КОМПОНЕНТОВ ДЕФОРМАЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ОБРАЗЦОВ КРЕМНИЯ С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-8

У.И.Эркабоев, Н.А.Сайидов, Р.Г.Рахимов, Ж.И.Мирзаев.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И КВАНТУЮЩЕГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ПАРАБОЛИЧЕСКИМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-9

Н.А. Сайидов, Р.Г. Рахимов, Ж.И. Мирзаев, У.Б. Негматов.

ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ И ПОПЕРЕЧНОГО КВАНТУЮЩЕГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ШИРИНУ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ КВАНТОВОЙ ЯМЫ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-10

М.Г.Дадамирзаев.

ВЫЧИСЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СИЛЬНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-11

SCIENTIFIC JOURNAL "SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS"
2021, Volume 3, Issue 4
Namangan Institute of Engineering and Technology (special issue)
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4
(To check DOI use website DOI.ORG )

G. Gulyamov, J.I.Mirzaev, U.I.Erkaboev, A.O.Yoqubjonov.

LANDAU LEVELS IN TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-1

O.Mamatkarimov, B.Uktamaliyev, A.Abdukarimov.

PREPARATION OF POLY (METHYL METHACRYLATE)-BASED POLYMER ELECTROLYTES FOR SOLID-STATE FOR Mg-ION BATTERIES
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-2

N.Y.Sharibaev, A.K.Ergashov, R.N.Sharifbaev.

IMPEDANCE SPECTROSCOPY OF NEW TYPE SOLAR ELEMENTS IN STUDYING DEPENDENCE ON EXTERNAL FORCES
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-3

O.Mamatkarimov, A.Abdukarimov, B.O’ktamaliev.

ABOUT THE CHARACTERISTICS OF MULTILAYER THIN-FILM STRUCTURES WITH DYES BASED ON TITANIUM DIOXIDE
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-4

U.I.Erkaboev, R.G.Rakhimov, N.A.Sayidov, J.I.Mirzaev, U.M.Negmatov.

INFLUENCE OF A STRONG MAGNETIC FIELD ON FERMI ENERGY OSCILLATIONS IN TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MATERIALS
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-5

N.Y.Sharibaev, M.G.Dadamirzaev, R.N.Sharifbaev.

INFLUENCE OF THE EFFECTIVE MASS OF THE DENSITY OF THE STATE ON THE TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE BAND BAND WIDTH IN SOLID SOLUTIONS p-Bi2-xSbxTe3-ySey
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-6

O.Mamatkarimov, B.Uktamaliyev, A.Abdukarimov, A.K. Arof.

TEMPERATURE DEPENDENCE OF ACTIVE AND REACTIVE IMPEDANCES OF PMMA-EC-LiTf2 / MgTf2 SOLID POLYMER ELECTROLYTES
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-7

R.Kh.Khamidov, O.O.Mamatkarimov.

CALCULATION OF COMPONENTS OF STRAIN-SENSITIVITY OF SILICON SAMPLES WITH DEEP IMPURITY LEVELS

U.I.Erkaboev, N.A.Sayidov, R.G.Rakhimov, J.I.Mirzaev.

DETERMINATION OF DEPENDENCE OF THE BAND GAP ON TEMPERATURE AND QUANTIZING MAGNETIC FIELD IN ELECTRONIC SEMICONDUCTORS WITH A PARABOLIC DISPERSION LAW
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-9

N.А. Sаyidоv, R.G. Rаkhimоv, J.I. Mirzаev, U.B.Negmatov.

EFFECTS OF TEMPERATURE AND A TRANSVERSAL QUANTIZING MAGNETIC FIELD ON THE FORBIDDEN BAND OF A QUANTUM WELL
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-10

M.G.Dadamirzaev.

CALCULATION THE TEMPERATURE DEPENDENCE THE ENERGY SPECTRUM OF CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS EXPOSED TO A STRONG MAGNETIC FIELD
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-4-11