НАУЧНЫЙ ЖУРНАЛ "ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА"
2021, Том 3, Выпуск 3
Материалы международной научной конференции “Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике”. Ташкент, 9-10 октябрь, 2020 (спецвыпуск)
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3
(Для проверки DOI используйте сайт DOI.ORG )

С.З.Зайнабидинов, Н.А.Тургунов, Э.Х.Беркинов, Р.М.Турманова

СТРУКТУРООБРАЗОВАНИЕ ПРИМЕСНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ НИКЕЛЯ В КРЕМНИИ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-1

Х.С. Далиев, О.Х. Кулдашов, И.М. Болтабоев, Г.А. Журабоева

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ ВОДЫ В НЕФТИ И НЕФТЕПРОДУКТАХ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-2

Ш.Б.Утамурадова, Д.А.Рахманов

ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ПРОЦЕССЫ ОБРАЗОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПЕРЕХОДНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИЙ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-3

Э.З.Имамов, Р.А.Муминов, Р.Рахимов, Т.А.Джалалов, А.Э.Имамов

ВОЗМОЖНОСТИ НАНОТЕХНОЛОГИИ В СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГЕТИКЕ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-4

Г.Гулямов, М.Г.Дадамирзаев, М.К.Уктамова

ВИД ИЗБЫТОЧНОГО ТОКА ГЕНЕРИРУЕМОГО В ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДАХ И КОЭФФИЦИЕНТ ПРОЗРАЧНОСТИ БАРЬЕРА В РАЗНЫХ МОДЕЛЯХ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-5

Б.М. Абдурахманов, М.М. Адилов, Х.Б. Ашуров, М.Ш. Курбанов

НОВЫЕ ТИПЫ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕПЛОВОЙ ЭНЕРГИИ НА ОСНОВЕ ГРАНУЛИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-6

Н.Ф.Зикриллаев, М.К. Хаккулов, Ф.К. Шакаров, С.Й. Махмудов

БЕЗ ЭРОЗИЙНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ СЕРЫ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-7

М.Ю. Ташметов, Ш. Махкамов, А.Р. Саттиев, М.Н. Эрдонов, Ш.А. Махмудов, Х.М. Холмедов

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПРОТОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ФОРМИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ДИФФУЗИОННЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-8

В.Р.Расулов, Р.Я.Расулов, И.Эшболтаев, М.Х.Кучкоров

К ТЕОРИИ ДВУХ И ТРЕХ ФОТОННОГО ЛИНЕЙНО-ЦИРКУЛЯРНОГО ДИХРОИЗМА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ КУБИЧЕСКОЙ СИММЕТРИИ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-9

Р.Алиев, Б.Рашидов, В.Абдуазимов

ЭФФЕКТ ФЛЕКСОФОТОВОЛЬТАИКИ В КРЕМНИЕВЫХ р-n-СТРУКТУРАХ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-10

У.И.Эркабоев, Н.А.Сайидов, Р.Г.Рахимов, У.М.Негматов

РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ОСЦИЛЛЯЦИЙ ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЙ В КВАНТУЮЩЕМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ ВСЛЕДСТВИЕ СТОЛКНОВЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ НА ДЕФЕКТАХ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-11

SCIENTIFIC JOURNAL "SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS"
2021, Volume 3, Issue 3
Materials of the international scientific conference "Nanostructural Semiconductor Materials in Photoenergetics". Tashkent, October 9-10, 2020. (special issue)
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-2
(To check DOI use website DOI.ORG )

S.Z. Zaynabidinov, N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, R.M. Turmanova

STRUCTURE FORMATION OF IMPURITY PRECIPITES NICKEL IN SILICON
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-1

Kh.S. Daliev, O.Kh. Kuldashov, I.M. Boltaboev, G.A. Zhuraboeva.

DEVICE FOR DETERMINING WATER CONTENT IN OIL AND PETROLEUM PRODUCTS
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-2

Sh.B. Utamuradova, D.A. Rakhmanov

INFLUENCE OF TECHNOLOGICAL IMPURITIES ON THE FORMATION OF RADIATION DEFECTS IN SILICON WITH TRANSITION ELEMENTSS
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-3

E.Z. Imamov, R.A. Muminov, R. Rakhimov, T.A. Djalalov, A.E.Imamov

POSSIBILITIES OF NANOTECHNOLOGY IN SOLAR ENERGY
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-4

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzayev, M.K. Uktamova

TYPE OF EXCESS CURRENT GENERATED IN TUNNEL DIODES AND BARRIER TRANSPARENCY COEFFICIENT (TRANSFER COEFFICIENT) IN DIFFERENT MODELS
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-5

B.M. Abdurakhmanov, M.M. Adilov, X.B. Ashurov, M.Sh. Kurbanov

NEW TYPES OF THERMAL ENERGY CONVERTERS BASED ON GRANULAR SILICON
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-6

N.F. Zikrillaev, М.К. Hakkulov, F.K. Shakarov, S.Y. Makhmudov

TECHNOLOGICAL METHOD OF ERROSION-FREE DIFFUSION OF SILICON WITH IMPURITY ATOMS OF SULFUR
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-7

M.Yu. Tashmetov, Sh. Makhkamov, A.R. Sattiev, M.N. Erdonov, Sh.A. Makhmudov, Kh.M. Kholmedov

STUDY OF THE INFLUENCE OF PROTON RADIATION ON THE FORMATION OF RADIATION DEFECTS IN DIFFUSION SILICON DIODES
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-8

V. R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev, M.X. Kuchkarov

TO THE THEORY OF THE TWO AND THREE PHOTONIC LINEAR CIRCULAR DICHROISMS IN CUBIC SYMMETRY SEMICONDUCTORS
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-9

R. Aliev, B. Rashidov, V. Abduazimov

FLEXOPHOTOVOLTAIC EFFECT IN SILICON p-n-STRUCTURES
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-10

U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, R.G. Rakhimov, U.M. Negmatov

САLСULАTIОN ОF THE TEMPERАTURE DEPENDENСE ОF THE ОSСILLАTIОN ОF THE DENSITY ОF STАTES IN А QUАNTIZING MАGNETIС FIELD DUE TО THE СОLLISIОN ОF ELEСTRОNS ОN СRYSTАL LАTTIСE DEFEСTS
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-11

СТРУКТУРООБРАЗОВАНИЕ ПРИМЕСНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ НИКЕЛЯ В КРЕМНИИ DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-1

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ ВОДЫ В НЕФТИ И НЕФТЕПРОДУКТАХDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-2

ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ПРОЦЕССЫ ОБРАЗОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПЕРЕХОДНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИЙDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-3

ВОЗМОЖНОСТИ НАНОТЕХНОЛОГИИ В СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГЕТИКЕDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-4

ВИД ИЗБЫТОЧНОГО ТОКА ГЕНЕРИРУЕМОГО В ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДАХ И КОЭФФИЦИЕНТ ПРОЗРАЧНОСТИ БАРЬЕРА В РАЗНЫХ МОДЕЛЯХ DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-5

НОВЫЕ ТИПЫ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕПЛОВОЙ ЭНЕРГИИ НА ОСНОВЕ ГРАНУЛИРОВАННОГО КРЕМНИЯDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-6

БЕЗ ЭРОЗИЙНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ СЕРЫ DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-7

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПРОТОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ФОРМИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ДИФФУЗИОННЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-8

К ТЕОРИИ ДВУХ И ТРЕХ ФОТОННОГО ЛИНЕЙНО-ЦИРКУЛЯРНОГО ДИХРОИЗМА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ КУБИЧЕСКОЙ СИММЕТРИИDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-9

ЭФФЕКТ ФЛЕКСОФОТОВОЛЬТАИКИ В КРЕМНИЕВЫХ р-n-СТРУКТУРАХ DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-10

STRUCTURE FORMATION OF IMPURITY PRECIPITES NICKEL IN SILICONDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-1

DEVICE FOR DETERMINING WATER CONTENT IN OIL AND PETROLEUM PRODUCTSDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-2

INFLUENCE OF TECHNOLOGICAL IMPURITIES ON THE FORMATION OF RADIATION DEFECTS IN SILICON WITH TRANSITION ELEMENTSSDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-3

POSSIBILITIES OF NANOTECHNOLOGY IN SOLAR ENERGYDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-4

TYPE OF EXCESS CURRENT GENERATED IN TUNNEL DIODES AND BARRIER TRANSPARENCY COEFFICIENT (TRANSFER COEFFICIENT) IN DIFFERENT MODELSDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-5

NEW TYPES OF THERMAL ENERGY CONVERTERS BASED ON GRANULAR SILICONDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-6

TECHNOLOGICAL METHOD OF ERROSION-FREE DIFFUSION OF SILICON WITH IMPURITY ATOMS OF SULFURDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-7

STUDY OF THE INFLUENCE OF PROTON RADIATION ON THE FORMATION OF RADIATION DEFECTS IN DIFFUSION SILICON DIODES DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-8

TO THE THEORY OF THE TWO AND THREE PHOTONIC LINEAR CIRCULAR DICHROISMS IN CUBIC SYMMETRY SEMICONDUCTORSDOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-9

FLEXOPHOTOVOLTAIC EFFECT IN SILICON p-n-STRUCTURES DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-10

САLСULАTIОN ОF THE TEMPERАTURE DEPENDENСE ОF THE ОSСILLАTIОN ОF THE DENSITY ОF STАTES IN А QUАNTIZING MАGNETIС FIELD DUE TО THE СОLLISIОN ОF ELEСTRОNS ОN СRYSTАL LАTTIСE DEFEСTS DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-3-11