НАУЧНЫЙ ЖУРНАЛ "ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА"
2021, Том 3, Выпуск 1
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1
(Для проверки DOI используйте сайт DOI.ORG )

С.З. Зайнабидинов, Н.А. Тургунов, Ш.К. Акбаров, Э.Х. Беркинов, Д.Х. Мамажонова

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ ПО ОБЪЕМУ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В ОБРАЗЦАХ n-Si'Ni'
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-1

Ш.Б. Утамурадова, Ш.Х. Далиев, М.Б. Бекмуратов

ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ ИТТЕРБИЯ НА ГЕНЕРАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-СТРУКТУР
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-2

А.Ю. Лейдерман, А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, Ж.М. Абдиев

ИНЖЕКЦИОННЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В p-n- СТРУКТУРАХ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО СЛАБОЙ ЛИНЕЙНОЙ ВАРИЗОННОСТЬЮ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-3

Р.А. Муминов А.К. Саймбетов, Ё.К. Тошмуродов, М.О. Явкочлиев.

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДВУХКООРДИНАТНО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-4

Х.С. Далиев, М.К. Онаркулов, С.М. Отажонов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ В ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-5

Ф.А. Акбаров, Р.Р. Кабулов

ОСОБЕННОСТИ НАГРУЗОЧНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ CIGS ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ ПРИ ЭКСПЛУАТАЦИИ НА ПОВЕРХНОСТИ ГАЗОНА
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-6

Г. Гулямов, П.Ж. Байматов, Б.Т. Абдулазизов, М.С. Тохиржонов

ЦИКЛОТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ И МАССА ЭЛЕКТРОНА В ШИРОКОЙ InAs КВАНТОВОЙ ЯМЕ В СИЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-7

У.И. Эркабоев, Р.Г. Рахимов, Н.А.Сайидов, У.М. Негматов

МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВЫХ ОСЦИЛЯЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В 2D ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-8

М.Б. Шарибаев, К.А. Исмайлов, И.Н. Каримов

ВЛИЯНИЕ γ-ОБЛУЧЕНИЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР CdZnSe/ZnSe
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-9

О.Ф. Тукфатуллин, Р.А. Муминов, К.А. Джумамуратов

КРИТЕРИИ ОТБОРА СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА В ПОСТОЯННЫЙ ИНВЕРТОРА НАПРЯЖЕНИЯ АВТОНОМНОЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-10

С.С. Насриддинов, М.А. Муйдинова

ЦИФРОВОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ОПТИМИЗАЦИИ АНТИОТРАЖАЮЩИХ ПОКРЫТИЙ ДЛЯ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-11

SCIENTIFIC JOURNAL "SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS"
2021, Volume 3, Issue 1
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1
(To check DOI use website DOI.ORG )

S.Z. Zainabidinov, N.А. Turgunov, Sh.K. Akbarov, E.X. Berkinov, D.Х. Mamajonova

DISTRIBUTION OF IMPURITY ATOMS BY THE VOLUME OF MICROINCUTIONS IN SAMPLES n-Si-Ni
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-1

Sh.B. Utamuradova, Sh.D. Daliyev, M.B. Bekmuratov

INFLUENCE OF YTTERBIUM IMPURITY ON THE GENERATION CHARACTERISTICS OF MIS STRUCTURES
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-2

A.Y. Leyderman, A.S. Saidov, Sh.N. Usmonov, J.M. Abdiyev

INJECTION DIFFUSION PROCESSES IN THE WEAK LINEAR GRADED SEMICONDUCTOR p-n-STRUCTURES
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-3

R.A. Muminov, A.K. Saymbetov, Y.Q. Toshmurodov, M.O. Yavqochdiyev

MANUFACTURING TECHNOLOGY FOR TWO-COORDINATE SENSITIVE SEMICONDUCTOR DETECTORS BASED ON LARGE-DIAMETER SINGLE-CRYSTAL SILICON
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-4

Kh.S. Daliev, M.K. Onarkulov, S.M. Otajonov

DEVICE FOR STUDYING TENZE SENSITIVITY IN PHOTOSENSITIVE SEMICONDUCTOR FILMS
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-5

F.A. Akbarov, R.R. Kabulov

FEATURES OF LOADING CHARACTERISTICS OF THE CIGS PHOTOELECTRIC MODULE WHEN OPERATING ON THE SURFACE OF THE LAW
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-6

G. Gulyamov, P.J. Baymatov, B.T., M.S. Tokhirjonov

CYCLOTRON TRANSITIONS AND ELECTRON MASS IN A WIDE INAS QUANTUM WELL IN STRONG MAGNETIC FIELDS
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-7

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov

SIMULATION OF THE TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE QUANTUM OSCILLATIONS’ EFFECTS IN 2D SEMICONDUCTOR MATERIALS
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-8

M.B. Sharibaev, Q.A. Ismailov, I.N. Karimov

EFFECT OF γ- IRRADIATION ON THE OPTICAL PROPERTIES OF ZnSe/ZnCdSe QUANTUM-DIMENSIONAL STRUCTURES
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-9

O.F. Tukfatullin, R.A. Muminov, K.A. Djumamuratov

SELECTION CRITERIA FOR POWER TRANSISTORS OF DC-TO-DC VOLTAGE INVERTER OF STAND-ALONE PHOTOVOLTAIC SYSTEM
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-10

S.S. Nasriddinov, M.A. Muydinova

DIGITAL MODELLING OF OPTIMIZATION PROCESS OF ANTIREFLECTION COVERING FOR SILICON SOLAR CELLS
DOI 10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-11