2019,Том 1, Выпуск 5 (DOI 10.37681/2181-9947-2019-5)
Для просмотра метаданных нажмите название статьи

Далиев Х.С., Йулчиев Ш.Х.

СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ Si (Обзор)

Саидов А. С., Лейдерман А. Ю., Усмонов Ш. Н., Асатова У. П.

ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

Утамурадова Ш.Б., Олимбеков З.О., Хамдамов Ж.Ж., Файзуллаев К.М.

ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОБРАБОТОК НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ ЛЕГИРОВАННОМ ПЛАТИНОЙ

Азаматов З.Т., Базарбаев Н.Н., Бекчанова М.Р., Йулдошев М.А.

ИННОВАЦИОННЫЕ МЕТОДЫ ЦИФРОВОЙ ГОЛОГРАФИЧЕСКОЙ ИНТЕРФЕРОМЕТРИИ ДЛЯ НЕРАСТРУКТИВНОГО ИСПЫТАНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ

Якубов А. А., Абдулхаев О. А., Хакимов А. А., Каримов А. В.

ТРЕХБАРЬЕРНЫЕ ФОТОДИОДНЫЕ Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag- СТРУКТУРЫ

Насриддинов С. С., Маннонов М.И.

ДАТЧИКИ СКОРОСТИ ПОТОКА СПЛОШНЫХ СРЕД

Каримов А. В., Каманов Б. М., Ёдгорова Д. М., Каримов А. А.

НОВАЯ РАЗНОВИДНОСТЬ УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ С ДИНАМИЧЕСКОЙ НАГРУЗКОЙ

Зикриллаев Н. Ф., Исмайлов Б. К., Тачилин С. А., Исамов С. Б.

ПОВЫШЕНИЕ ТЕРМОСТАБИЛЬНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ КЛАСТЕРОВ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ НИКЕЛЯ

Далиев Х. С., Далиев Ш. Х., Палуанова А. Д., Хусанов З. М.

РАДИАЦИОННОЕ И ТЕРМИЧЕСКОЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ С ПРИМЕСЯМИ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

2019,Volume 1, Issue 5 (DOI 10.37681/2181-9947-2019-5)
To find out abstract click articale title

Daliev Kh.S., Yulchiev Sh.Kh.

STATE OF RESEARCH AND PROSPECTS OF DEVELOPMENT OF SEMICONDUCTOR MULTILAYER HETEROSTRUCTURES BASED ON Si (Review)

Saidov A. S., Leyderman A. Y., Usmonov Sh. N., Asatova U. P.

FEATURES OF THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF n-GaPp-(InSb)1-x(Sn2)x HETEROSTRUCTURE

Utamuradova Sh. B., Olimbekov Z. O., Khamdamov J.J., Fayzullaev K. M.

INFLUENCE OF LOW-TEMPERATURE TREATMENTS ON THE BEHAVIOR OF DEEP LEVELS IN SILICON DOPED WITH PLATINUM

Аzamatov Z. T., Bazarbayev N. N., Bekchanova M. R., Yuldoshev M. A.

DIGITAL HOLOGRAPHIC INTERFEROMETRY IN PHYSICAL MEASUREMENTS

Yakubov A. A., Abdulkhaev O. A., Khakimov A.A., Karimov A. V.

THREE-BARRIER Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag PHOTODIODE STRUCTURES

Nasriddinov S. S., Mannonov M.I.

THE FLOW SENSORS OF A CONTINUOUS MEDIUM

Karimov A. V., Kamanov B. M., Yodgorova D. M.,Karimov A. A.

A NEW KIND OF VOLTAGE AMPLIFIER ON THE FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH DYNAMIC LOAD

Zikrillayev N. F., Ismaylov B. K., Tachilin S. A., Isamov S. B.

INCREASING THE THERMAL STABILITY OF SILICON IN THE FORMATION OF CLUSTERS OF IMPURITY NICKEL ATOMS

Daliev Kh. S., Daliev Sh. Kh., Paluanova A. D., Husanov Z. M.

RADIATION AND THERMAL DEFECT FORMATION IN SILICON MIS - STRUCTURES WITH IMPURITIES OF REFRACTORY ELEMENTS