|
НАУЧНЫЙ ЖУРНАЛ "ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА" |
| ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ |
РЕНТГЕНОФАЗОВЫЙ АНАЛИЗ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ДИСПРОЗИЕМСТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМ ЭЛЕМЕНТОМ ИТТЕРБИЕМ.ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ОКСИДНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ ЗА СЧЁТ МИНИМИЗАЦИИ ВНЕШНЕГО ВОЗДЕЙСТВИЯВЛИЯНИЕ ТЕРМИЧЕСКИХ ОБРАБОТОК НА СТРУКТУРНЫЕ И ФАЗОВЫЕ СОСТОЯНИЯ n-SiEr |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКА |
ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ МАГНИТОМЕТР С ДАТЧИКОМ ХОЛЛА |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ |
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА Sb2(Sx, Se1-x)3ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МНОГОСЛОЙНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Au-nCdS-nSi-pCdTe-AuФУЛЛЕРЕНОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ РАЗЛИЧНОЙ РАЗМЕРНОСТИ |
| ГЕЛИОФИЗИКА И АЛЬТЕРНАТИВНЫЕ ИСТОЧНИКИ ЭНЕРГИИ |
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА ЗАГРЯЗНЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ |
|
SCIENTIFIC JOURNAL "SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS" |
| SEMICONDUCTOR PHYSICS |
X-RAY PHASE ANALYSIS OF THE CRYSTAL STRUCTURE OF SILICON DOPED WITH DYSPROSIUMSTRUCTURAL PROPERTIES OF SILICON DOPED RARE EARTH ELEMENTS YTTERBIUMENHANCING THE ACCURACY OF SILICON OXIDE STRUCTURE FORMATION BY MINIMIZING EXTERNAL INFLUENCESEFFECT OF THERMAL TREATMENTS ON THE STRUCTURAL AND PHASE STATES OF n-SiEr |
| SEMICONDUCTOR MICROELECTRONICS |
HIGH SENSITIVE MAGNETOMETER WITH A HALL SENSOR |
| SEMICONDUCTOR MATERIALS SCIENCE |
THIN-FILM SOLAR CELL BASED ON Sb2(Sx, Se1-x)3 SOLID SOLUTION FILMSSTUDY OF PROPERTIES OF THIN-FILM MULTILAYER HETEROSTRUCTURE Au-nCdS-nSi-pCdTe-AuFULLERENE NANOSTRUCTURES WITH VARIOUS DIMENSIONALITY |
| HELIOPHYSICS AND ALTERNATIVE ENERGY SOURCES |
MATHEMATICAL MODEL OF THE SOILING PROCESS OF A PHOTOVOLTAIC MODULE SURFACE |