2019,Том 1, Выпуск 3 (DOI 10.37681/2181-9947-2019-3)
Для просмотра метаданных нажмите название статьи

РОЛЬ ТЕРМООБРАБОТКИ В ФОРМИРОВАНИИ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ КОБАЛЬТА

Расулов В. Р., Расулов Р. Я., Султонов Р. Р., Эшболтаев И. М. Амедов Б.

РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЕ. МОДЕЛЬ ДРЕССЕЛЬХАУЗА

Андреев В. М., Арипова З. Х., Тошматов Ш. Т.

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИАПАЗОНА УСТОЙЧИВОЙ РАБОТЫ КАСКАДНОГО ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКОГО ТРАНЗИСТОРА В ОБЛАСТИ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЛАВИННОГО ПРОБОЯ

Каримов А.В., Хакимов А.А.,Истамов Д. Б.,Каримов А. А., Каманов Б.М.

ОСОБЕННОСТИ НОВОЙ КОНСТРУКЦИИ БАЛКИ ДЛЯ ВЕСОИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ДАТЧИКА

Абдулхаев О. А., Бебитов Р. Р., Хакимов А. А., Рахматов А. З., Ёдгорова Д. М., Шертоев Ж. Х.

ОСОБЕННОСТИ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ОБЕДНЕННОЙ БАЗОВОЙ ОБЛАСТЬЮ

Отажонов С. М., Жураев Н. М., Халилов М. М.

СОЗДАНИЕ ФОТОДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p -CdTe-ZnSeC ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ

Далиев Ш.Х., Палуанова А.Д., Файзуллаев К.М., Кайпназаров С.Г.

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ МОЛИБДЕНА

КобуловР.Р.

ВЛИЯНИЕ МАТЕРИАЛА БУФЕРНОГО СЛОЯ НА СПЕКТР ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СЛОЯ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ

Йулчиев Ш. Х., Бобоев А. Й., Усмонов Ж. Н.

СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs1-?Bi?)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y

Тагаев М. Б., Абдикамалов Б. А.,Статов В. А., Бекбергенов С. Е.

ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ g-КВАНТАМИ/

2019,Volume 1, Issue 3 (DOI 10.37681/2181-9947-2019-3)
To find out abstract click articale title

UtamuradovaS.B.,Fayzullaev K.M.

THE ROLE OF HEAT TREATMENT IN THE FORMATION OF DEFECTS IN SILICON WITH AN IMPURITY OF COBALT

Rasulov V.R., Rasulov R.Ya., Sultonov R.R., Eshboltaev I.M. Amedov B.

DIMENSIONAL QUANTIZATION IN A SEMICONDUCTOR QUANTUM PIT. DRESSELHOUSE MODEL

Andreev V.M., Aripova Z. Kh., Toshmatov Sh.

RESEARCH OF THE RANGE OF SUSTAINABLE WORK OF THE CASCODE INJECTION-VOLTAIC TRANSISTOR IN THE FIELD OF THE ORIGIN OF AN ELECTRIC AVALANCHE BREAKDOWN

Karimov A.V., Khakimov A.A., Istamov D.B., Karimov A.A., Kamanov B.M.

FEATURES OF THE NEW STRUCTURE OF THE BEAM FOR THE LOAD CELL

Abdulkhaev O.A., Bebitov R.R., Khakimov A.A., Rakhmatov A.Z., Yedgorova D.M., Shertoev J.Kh.

FEATURES OF TEMPERATURE SENSITIVITY OF SILICON STRUCTURE WITH DEPLETED BASE REGION

Otazhonov S.M., Zhuraev N.M., Khalilov M.M.

CREATION OF PHOTODETECTORS BASED ON FILM HETEROSTRUCTURE p - MEMBRANOUS CdTe - ZnSe C DEEP IMPURITY LEVELS

Daliev Sh. Kh., Paluanova A. D., Fayzullaev K. M., Kaypnazarov S. G.

ENERGY SPECTRUM OF DEFECTS IN SILICON WITH MOLYBDENUM ADMIXTURE

Kobulov R.R.

INFLUENCE OF BUFFER LAYER MATERIAL ON THE PHOTO-SENSITIVITY SPECTRUM OF HETEROSTRUCTURES BASED ON THE POLYCRYSTALLINE LAYER OF CADMIUM TELLURIDE

Yulchiev Sh. Kh., Boboev A. Y., Usmonov J. N.

STRUCTURAL FEATURES OF (GaAs1-6Bi6)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y SEMICONDUCTOR SOLID SOLUTION

Tagaev M. B., Abdikamalov B. A., Statov V. A., Bekbergenov S. E.

STUDY OF THE SCHOTTKY POWER DIODES DEGRADATION UNDER 60Co g-IRRADIAION